RQ3P300BETB1 Rohm Semiconductor | Productos semiconductores discretos

RQ3P300BETB1 es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $1.39000

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RQ3P300BETB1
N.º de producto de DigiKey	RQ3P300BETB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ3P300BETB1CT-ND - Cinta cortada (CT) RQ3P300BETB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3P300BETB1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Modelos EDA/CAD	RQ3P300BETB1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta), 36A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	21mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	19.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1250 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	RQ3P300