Name: RQ5E025TNTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ5E025TNTLTR-ND
Price: 0.68 USD
Availability: OutOfStock

RQ5E025TNTL está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Equivalente paramétrico

Rohm Semiconductor

En stock: 0

Precio por unidad : $0.68000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RQ5E025TNTL
N.º de producto de DigiKey	RQ5E025TNTLTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ5E025TNTLCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ5E025TNTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ5E025TNTL
Descripción	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 2.5 A (Ta) 700mW (Ta) TSMT3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	92mOhm a 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	220 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT3
Paquete / Caja (carcasa)	SC-96
Número de producto base	RQ5E025