Name: RQ5E070BNTCL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ5E070BNTCLTR-ND
Price: 0.6 USD
Availability: OutOfStock

RQ5E070BNTCL está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Nexperia USA Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $0.48000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RQ5E070BNTCL
N.º de producto de DigiKey	RQ5E070BNTCLTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ5E070BNTCLCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ5E070BNTCLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ5E070BNTCL
Descripción	MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 7A (Tc) 1W (Tc) TSMT3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ5E070BNTCL Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16.1mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	950 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT3
Paquete / Caja (carcasa)	SC-96
Número de producto base	RQ5E070