Name: RQ6C065BCTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6C065BCTCRTR-ND
Price: 0.8 USD
Availability: OutOfStock

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RQ6C065BCTCR
N.º de producto de DigiKey	RQ6C065BCTCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ6C065BCTCRCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ6C065BCTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ6C065BCTCR
Descripción	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 6.5A (Tc) 1.25W (Tc) TSMT6 (SC-95)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ6C065BCTCR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	21mOhm a 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1520 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	RQ6C065