Name: RQ6E040XNTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E040XNTCRTR-ND
Price: 0.64 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RQ6E040XNTCR
N.º de producto de DigiKey	RQ6E040XNTCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ6E040XNTCRCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ6E040XNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ6E040XNTCR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 4 A (Ta) 950mW (Ta) TSMT6 (SC-95)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	50mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3.3 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	180 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	950mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	RQ6E040