Name: RQ6E085BNTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E085BNTCRTR-ND
Price: 0.91 USD
Availability: OutOfStock

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RQ6E085BNTCR
N.º de producto de DigiKey	RQ6E085BNTCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ6E085BNTCRCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ6E085BNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ6E085BNTCR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) TSMT6 (SC-95)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ6E085BNTCR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14.4mOhm a 8.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	32.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1350 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	RQ6E085