RRQ030P03TR está disponible para la compra, pero no está normalmente en stock.
Reemplazos disponibles:

Similar


Rohm Semiconductor
En stock: 0
Precio por unidad : $0.80000
Hoja de datos

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 0
Precio por unidad : $0.66000
Hoja de datos

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 0
Precio por unidad : $0.60000
Hoja de datos

Similar


Diodes Incorporated
En stock: 0
Precio por unidad : $0.75000
Hoja de datos

Similar


Diodes Incorporated
En stock: 0
Precio por unidad : $0.42000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 18,000
Precio por unidad : $0.76000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 0
Precio por unidad : $0.42000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 0
Precio por unidad : $0.45000
Hoja de datos

Similar


Panjit International Inc.
En stock: 1,373
Precio por unidad : $0.54000
Hoja de datos

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


Diodes Incorporated
En stock: 0
Precio por unidad : $1.06000
Hoja de datos
TSMT6
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RRQ030P03TR

N.º de producto de DigiKey
846-RRQ030P03TR-ND - Cinta y rollo (TR)
846-RRQ030P03CT-ND - Cinta cortada (CT)
846-RRQ030P03DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de pieza del fabricante
RRQ030P03TR
Descripción
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Montaje en superficie 30 V 3 A (Ta) 600mW (Ta) TSMT6 (SC-95)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Última compra
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
75mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
480 pF @ 10 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
600mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Última compra
Fecha de la última compra: 30/09/2027
Se requiere cotización, envíe la solicitud aquí.
No cancelable/No retornable