Name: RS1E150GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E150GNTBTR-ND
Price: 0.92 USD
Availability: OutOfStock

RS1E150GNTB está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : $1.13000

Similar

Texas Instruments

En stock: 5,000

Precio por unidad : $1.24000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RS1E150GNTB
N.º de producto de DigiKey	RS1E150GNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RS1E150GNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RS1E150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS1E150GNTB
Descripción	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.8mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	590 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 22W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	RS1E