Name: RS1E260ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E260ATTB1TR-ND
Price: 3.34 USD
Availability: InStock

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RS1E260ATTB1
N.º de producto de DigiKey	RS1E260ATTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) RS1E260ATTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) RS1E260ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS1E260ATTB1
Descripción	MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 26 A (Ta), 80 A (Tc) 3W (Ta) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RS1E260ATTB1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	26 A (Ta), 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.1mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	175 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7850 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	RS1E