Name: RS1G150MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G150MNTBTR-ND
Price: 0.95 USD
Availability: OutOfStock

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RS1G150MNTB
Número de pieza de DigiKey	RS1G150MNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RS1G150MNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RS1G150MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS1G150MNTB
Descripción	MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 15A (Ta), 43A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RS1G150MNTB Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15A (Ta), 43A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10.6mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	930 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	RS1G