Name: RS1P090ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1P090ATTB1TR-ND
Price: 2.54 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RS1P090ATTB1
N.º de producto de DigiKey	846-RS1P090ATTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RS1P090ATTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RS1P090ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS1P090ATTB1
Descripción	PCH -100V -33A POWER MOSFET: RS1
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 9A (Ta), 33A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Ta), 33A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	34mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5650 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	RS1P090