Name: RS3E180ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E180ATTB1TR-ND
Price: 3.19 USD
Availability: OutOfStock

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RS3E180ATTB1
N.º de producto de DigiKey	RS3E180ATTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) RS3E180ATTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) RS3E180ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS3E180ATTB1
Descripción	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 18 A (Ta) 1.4W (Ta) 8-SOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RS3E180ATTB1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.4mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7200 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	RS3E