RSD201N10TL Rohm Semiconductor | Productos semiconductores discretos

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RSD201N10TL
N.º de producto de DigiKey	RSD201N10TLTR-ND - Cinta y rollo (TR) RSD201N10TLCT-ND - Cinta cortada (CT) RSD201N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RSD201N10TL
Descripción	MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 20A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) CPT3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RSD201N10TL Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	46mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2100 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	CPT3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	RSD201