Name: RSJ650N10TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSJ650N10TLTR-ND
Price: 6.71 USD
Availability: OutOfStock

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RSJ650N10TL
N.º de producto de DigiKey	RSJ650N10TLTR-ND - Cinta y rollo (TR) RSJ650N10TLCT-ND - Cinta cortada (CT) RSJ650N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RSJ650N10TL
Descripción	MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 65A (Ta) 100W (Tc) LPTS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RSJ650N10TL Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	65A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.1mOhm a 32.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10780 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LPTS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	RSJ650

RSJ650N10TL