Name: RTQ045N03TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RTQ045N03TR-ND
Price: 0.89 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

I agree to receive marketing emails from DigiKey (optional). I understand that I can withdraw consent at any time. Please review our Privacy Notice.

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

RTQ045N03TR
Número de pieza de DigiKey	RTQ045N03TR-ND - Cinta y rollo (TR) RTQ045N03CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RTQ045N03TR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) TSMT6 (SC-95)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RTQ045N03TR Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	43mOhm a 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	540 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	RTQ045

RTQ045N03TR