Name: RY7P250BMTBC
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RY7P250BMTBCTR-ND
Price: 8.35 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo en DigiKey

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RY7P250BMTBC
N.º de producto de DigiKey	846-RY7P250BMTBCTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RY7P250BMTBCCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RY7P250BMTBCDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RY7P250BMTBC
Descripción	NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 340W (Tc)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.09" L x 1.56" W x 1.36" H (27.7mm x 39.6mm x 34.5mm)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.86mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	15900 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	340W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	3.15" L x 4.92" W x 3.15" H (80.0mm x 125.0mm x 80.0mm)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN