Name: RZF013P01TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RZF013P01TLTR-ND
Price: 0.5 USD
Availability: InStock

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RZF013P01TL
N.º de producto de DigiKey	RZF013P01TLTR-ND - Cinta y rollo (TR) RZF013P01TLCT-ND - Cinta cortada (CT) RZF013P01TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RZF013P01TL
Descripción	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 1.3 A (Ta) 800mW (Ta) TUMT3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RZF013P01TL Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	260mOhm a 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	290 pF @ 6 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TUMT3
Paquete / Caja (carcasa)	3-SMD, conductores planos
Número de producto base	RZF013

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