RZM002P02T2L Rohm Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

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RZM002P02T2L
Número de pieza de DigiKey	RZM002P02T2LTR-ND - Cinta y rollo (TR) RZM002P02T2LCT-ND - Cinta cortada (CT) RZM002P02T2LDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RZM002P02T2L
Descripción	MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) VMT3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RZM002P02T2L Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.2V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.2Ohm a 200mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	115 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	VMT3
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-723
Número de producto base	RZM002