Name: SCT3120ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3120ALGC11-ND
Price: 9.77 USD
Availability: OutOfStock

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SCT3120ALGC11
N.º de producto de DigiKey	SCT3120ALGC11-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	SCT3120ALGC11
Descripción	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) TO-247N
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCT3120ALGC11 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	156mOhm a 6.7A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 3.33mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	460 pF @ 500 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	103W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247N
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	SCT3120

SCT3120ALGC11