Name: S3M0040120J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0040120J-ND
Price: 14.83 USD
Availability: OutOfStock

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S3M0040120J
N.º de producto de DigiKey	1655-S3M0040120J-ND
Fabricante	SMC Diode Solutions
Número de pieza del fabricante	S3M0040120J
Descripción	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 76A (Tc) 600W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	SMC Diode Solutions
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	76A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	52mOhm a 40A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 16mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	143 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+20V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2844 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$14.83000	$14.83
50	$8.56180	$428.09
100	$7.95940	$795.94
500	$7.69212	$3,846.06

Paquete estándar del fabricante

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