Name: IRF630
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-2757-5-ND
Price: 1.73 USD
Availability: OutOfStock

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IRF630
N.º de producto de DigiKey	497-2757-5-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	IRF630
Descripción	MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 9A (Tc) 75W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF630 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MESH OVERLAY™ II
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	400mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IRF6

IRF630