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SCT20N120

N.º de producto de DigiKey
497-15170-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
SCT20N120
Descripción
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Plazo estándar del fabricante
32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) HiP247™
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SCT20N120 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
290mOhm a 10A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
650 pF @ 400 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
HiP247™
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
SCT20
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$12.25000$12.25
30$7.37633$221.29
120$6.33392$760.07
510$6.28831$3,207.04
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.