Name: STB10N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB10N60M2TR-ND
Price: 2.18 USD
Availability: OutOfStock

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STB10N60M2
N.º de producto de DigiKey	497-STB10N60M2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STB10N60M2CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STB10N60M2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB10N60M2
Descripción	MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 7.5 A (Tc) 85W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB10N60M2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II Plus
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	600mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	400 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STB10

STB10N60M2