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Canal N Montaje en superficie 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) D2PAK
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
Canal N Montaje en superficie 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) D2PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB11NM80T4

Número de pieza de DigiKey
497-STB11NM80T4TR-ND - Cinta y rollo (TR)
497-STB11NM80T4CT-ND - Cinta cortada (CT)
497-STB11NM80T4DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STB11NM80T4
Descripción
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) D2PAK
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STB11NM80T4 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
11A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
400mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
43.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1630 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
STB11
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$7.95000$7.95
10$5.53200$55.32
100$4.29240$429.24
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1,000$3.50200$3,502.00
Paquete estándar del fabricante