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Canal N Montaje en superficie 800 V 10.5A (Tc) 190W (Tc) D2PAK
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
Canal N Montaje en superficie 800 V 10.5A (Tc) 190W (Tc) D2PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB12NK80ZT4

Número de pieza de DigiKey
497-4320-2-ND - Cinta y rollo (TR)
497-4320-1-ND - Cinta cortada (CT)
497-4320-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STB12NK80ZT4
Descripción
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 800 V 10.5A (Tc) 190W (Tc) D2PAK
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STB12NK80ZT4 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
SuperMESH™
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
10.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
750mOhm a 5.25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2620 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
STB12N
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Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$3.07000$3.07
10$2.82000$28.20
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1,000$2.25762$2,257.62
Paquete estándar del fabricante