Name: STB35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18244-2-ND
Price: 5.57 USD
Availability: OutOfStock

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STB35N65DM2
N.º de producto de DigiKey	497-18244-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-18244-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-18244-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB35N65DM2
Descripción	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 28A (Tc) 210W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB35N65DM2 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ M2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	28A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	110mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2400 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STB35