Name: STD1HN60K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STD1HN60K3TR-ND
Price: 1.62 USD
Availability: OutOfStock

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STD1HN60K3
N.º de producto de DigiKey	497-STD1HN60K3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STD1HN60K3CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STD1HN60K3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STD1HN60K3
Descripción	MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 1.2A (Tc) 27W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH3™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8Ohm a 600mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	140 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	STD1HN60

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,500	$0.61008	$1,525.20
5,000	$0.57325	$2,866.25

STD1HN60K3