Name: STD6N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15049-2-ND
Price: 1.33 USD
Availability: OutOfStock

STD6N65M2 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : $0.57000

Similar

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : $1.53000

Similar

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : $0.88000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

STD6N65M2
N.º de producto de DigiKey	497-15049-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-15049-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-15049-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STD6N65M2
Descripción	MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STD6N65M2 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.35Ohm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	226 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	STD6N65