STF24N60DM2 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
Reemplazos disponibles:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


Rochester Electronics, LLC
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 0
Precio por unidad : $3.79000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $3.20880

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


Rohm Semiconductor
En stock: 0
Precio por unidad : $3.63000
Hoja de datos

Similar


Renesas Electronics Corporation
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000

Similar


Infineon Technologies
En stock: 0
Precio por unidad : $4.23000
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 0
Precio por unidad : $1.93600
Hoja de datos

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Precio por unidad : $3.84000
Hoja de datos

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 0
Precio por unidad : $4.09000
Hoja de datos
Canal N Orificio pasante 600 V 18A (Tc) 30W (Tc) TO-220 paquete completo
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

STF24N60DM2

Número de pieza de DigiKey
497-15115-5-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
STF24N60DM2
Descripción
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 18A (Tc) 30W (Tc) TO-220 paquete completo
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STF24N60DM2 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
200mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1055 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

0 en stock
Consultar el plazo de entrega
Solicitud de notificación de existencias
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$3.40000$3.40
50$1.77980$88.99
100$1.61160$161.16
500$1.47184$735.92
1,000$1.41798$1,417.98
2,000$1.36738$2,734.76
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.