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STF8N60DM2

N.º de producto de DigiKey
STF8N60DM2-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STF8N60DM2
Descripción
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 8 A (Tc) 25W (Tc) TO-220FPAB
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STF8N60DM2 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ DM2
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
600mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
449 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FPAB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
STF8
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