Name: STH260N6F6-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH260N6F6-2TR-ND
Price: 3.09 USD
Availability: OutOfStock

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STH260N6F6-2
N.º de producto de DigiKey	497-STH260N6F6-2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STH260N6F6-2CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STH260N6F6-2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STH260N6F6-2
Descripción	MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 180 A (Tc) 300W (Tc) H2PAK-2
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.4mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	183 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	11800 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	H2PAK-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STH260

STH260N6F6-2