Name: STL190N4F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STL190N4F7AGTR-ND
Price: 1.26 USD
Availability: OutOfStock

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STL190N4F7AG
N.º de producto de DigiKey	497-STL190N4F7AGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STL190N4F7AGCT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STL190N4F7AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STL190N4F7AG
Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 40 V 120A (Tc) 127W (Tc) PowerFlat™ (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STL190N4F7AG Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	STripFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2mOhm a 17.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3000 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	127W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerFlat™ (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	STL190