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Canal N Orificio pasante 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) TO-220

STP18N60DM2

Número de pieza de DigiKey
497-STP18N60DM2-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STP18N60DM2
Descripción
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) TO-220
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 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STP18N60DM2 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ DM2
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
295mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
800 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
STP18
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Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.90000$1.90
50$1.28020$64.01
100$1.26480$126.48
500$1.23196$615.98
1,000$1.14087$1,140.87
2,000$1.06430$2,128.60
5,000$1.06238$5,311.90
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.