Name: STP18NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10305-5-ND
Price: 1.2 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

STP18NM60N
N.º de producto de DigiKey	497-10305-5-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STP18NM60N
Descripción	MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 13 A (Tc) 110W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STP18NM60N Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	285mOhm a 6.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1000 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	STP18

STP18NM60N