Name: STP25N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15892-5-ND
Price: 2.26 USD
Availability: OutOfStock

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STP25N60M2-EP
N.º de producto de DigiKey	497-15892-5-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STP25N60M2-EP
Descripción	MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Plazo estándar del fabricante	14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STP25N60M2-EP Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ M2-EP
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	188mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.75V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1090 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	STP25

STP25N60M2-EP