Canal N Orificio pasante 650 V 28A (Tc) 190W (Tc) TO-220
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STP34N65M5

Número de pieza de DigiKey
497-13111-5-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STP34N65M5
Descripción
MOSFET N-CH 650V 28A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 28A (Tc) 190W (Tc) TO-220
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STP34N65M5 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
28A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
110mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
62.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2700 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
STP34
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$4.45000$4.45
50$3.34600$167.30
100$3.23400$323.40
500$3.12360$1,561.80
1,000$2.73367$2,733.67
Paquete estándar del fabricante
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