STP62NS04Z STMicroelectronics | Productos semiconductores discretos

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STMicroelectronics

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STP62NS04Z
N.º de producto de DigiKey	497-5896-5-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STP62NS04Z
Descripción	MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 33 V 62A (Tc) 110W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STP62NS04Z Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MESH OVERLAY™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	33 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	62A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	Con abrazadera
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1330 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	STP62