STP75N75F4 STMicroelectronics | Productos semiconductores discretos

STP75N75F4 es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

Similar

STMicroelectronics

En stock: 0

Precio por unidad : $2.01000

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $0.63497

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $0.68716

Similar

Littelfuse Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $3.47000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

En stock: 0

Precio por unidad : $1.61000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

STP75N75F4
N.º de producto de DigiKey	497-13395-5-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STP75N75F4
Descripción	MOSFET N-CH 75V 78A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 75 V 78A (Tc) 150W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	75 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	78A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11mOhm a 39A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	76 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5015 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	STP75N