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TO-220-3
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STP9N65M2

N.º de producto de DigiKey
497-15042-5-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STP9N65M2
Descripción
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
Plazo estándar del fabricante
14 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) TO-220
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STP9N65M2 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
900mOhm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
315 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
STP9N65
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
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Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.