Name: STS5P3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15484-2-ND
Price: 1.02 USD
Availability: OutOfStock

STS5P3LLH6 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Diodes Incorporated

En stock: 0

Precio por unidad : $0.57000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

STS5P3LLH6
N.º de producto de DigiKey	497-15484-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-15484-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-15484-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STS5P3LLH6
Descripción	MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 5 A (Ta) 2.7W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STS5P3LLH6 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ H6
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	56mOhm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	639 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	STS5P3