Name: STS6P3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STS6P3LLH6TR-ND
Price: 1.08 USD
Availability: OutOfStock

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STS6P3LLH6
N.º de producto de DigiKey	497-STS6P3LLH6TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STS6P3LLH6CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STS6P3LLH6DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STS6P3LLH6
Descripción	MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 6 A (Ta) 2.7W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	30mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1450 pF @ 24 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	STS6P3