STT5N2VH5 STMicroelectronics | Productos semiconductores discretos

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STT5N2VH5
N.º de producto de DigiKey	497-STT5N2VH5TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STT5N2VH5CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STT5N2VH5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STT5N2VH5
Descripción	MOSFET N-CH 20V SOT23-6
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 5A (Tj) 1.6W (Tc) SOT-23-6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STT5N2VH5 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	STripFET™ V
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	30mOhm a 2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	700mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	367 pF @ 16 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-6
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6
Número de producto base	STT5N2