Name: CSD18503Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-48513-2-ND
Price: 2.27 USD
Availability: OutOfStock

CSD18503Q5AT está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Infineon Technologies

En stock: 0

Precio por unidad : $0.97000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

CSD18503Q5AT
N.º de producto de DigiKey	296-48513-2-ND - Cinta y rollo (TR) 296-48513-1-ND - Cinta cortada (CT) 296-48513-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Texas Instruments
Número de pieza del fabricante	CSD18503Q5AT
Descripción	MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Plazo estándar del fabricante	6 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 100A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 8-VSONP (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	CSD18503Q5AT Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.3mOhm a 22A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	16 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2640 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-VSONP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	CSD18503