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Canal N Orificio pasante 80 V 100A (Ta) 217W (Tc) TO-220-3
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

CSD19501KCS

Número de pieza de DigiKey
296-37286-5-ND
Fabricante
Texas Instruments
Número de pieza del fabricante
CSD19501KCS
Descripción
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Plazo estándar del fabricante
6 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 80 V 100A (Ta) 217W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
CSD19501KCS Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
100A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6.6mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3980 pF @ 40 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
217W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
CSD19501
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$2.80000$2.80
50$1.49940$74.97
100$1.30340$130.34
500$1.04282$521.41
1,000$0.89321$893.21
2,000$0.88727$1,774.54
5,000$0.85759$4,287.95
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
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