Name: CSD19538Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-47322-2-ND
Price: 0.65 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

CSD19538Q2
N.º de producto de DigiKey	296-47322-2-ND - Cinta y rollo (TR) 296-47322-1-ND - Cinta cortada (CT) 296-47322-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Texas Instruments
Número de pieza del fabricante	CSD19538Q2
Descripción	MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 14.4 A (Ta) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) 6-WSON (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	CSD19538Q2 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	14.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	59mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	454 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WSON (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-WDFN
Número de producto base	CSD19538