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CSD25202W15T
N.º de producto de DigiKey	296-CSD25202W15TTR-ND - Cinta y rollo (TR) 296-CSD25202W15TCT-ND - Cinta cortada (CT) 296-CSD25202W15TDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Texas Instruments
Número de pieza del fabricante	CSD25202W15T
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Plazo estándar del fabricante	6 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) 9-DSBGA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	CSD25202W15T Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	26mOhm a 2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.05V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	-6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1010 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	9-DSBGA
Paquete / Caja (carcasa)	9-UFBGA, DSBGA
Número de producto base	CSD25202W15

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Cinta y rollo (TR)