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TPS1100DR
N.º de producto de DigiKey	296-TPS1100DRTR-ND - Cinta y rollo (TR) 296-TPS1100DRCT-ND - Cinta cortada (CT) 296-TPS1100DRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Texas Instruments
Número de pieza del fabricante	TPS1100DR
Descripción	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	6 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 15 V 1.6 A (Ta) 791mW (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPS1100DR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Texas Instruments
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	15 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	180mOhm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+2V, -15V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	791mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	TPS1100