2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage | Productos semiconductores discretos

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2SK3566(STA4,Q,M)
N.º de producto de DigiKey	2SK3566(STA4QM)-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	2SK3566(STA4,Q,M)
Descripción	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 900 V 2.5A (Ta) 40W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	2SK3566(STA4,Q,M) Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSIV
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	900 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.4Ohm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	470 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	2SK3566