Name: RN1103MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1103MFVL3FTR-ND
Price: 0.15 USD
Availability: InStock

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RN1103MFV,L3F
N.º de producto de DigiKey	RN1103MFVL3FTR-ND - Cinta y rollo (TR) RN1103MFVL3FCT-ND - Cinta cortada (CT) RN1103MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	RN1103MFV,L3F
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Referencia del cliente
Descripción detallada	Transistores - Bipolar (BJT) - Simple prepolarizados NPN - Prepolarizado 50 V 100 mA 150 mW Montaje en superficie VESM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RN1103MFV,L3F Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares simples y prepolarizados
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo de transistor	NPN - Prepolarizado
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	100 mA
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	50 V
Resistencias incluidas	R1 y R2
Resistor - Base (R1)	22 kOhms
Resistor - Base del emisor (R2)	22 kOhms
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce	70 a 10mA, 5V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic	300mV a 500µA, 5mA
Corriente - Corte de colector (Máx.)	500nA
Potencia - Máx.	150 mW
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-723
Paquete del dispositivo del proveedor	VESM
Número de producto base	RN1103

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Cinta cortada (CT)