Name: SSM3J140TU,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J140TULXHFTR-ND
Price: 0.81 USD
Availability: OutOfStock

SSM3J140TU,LXHF está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Equivalente paramétrico

SSM3J140TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

En stock: 0

Precio por unidad : $0.57000

Hoja de datos

Ver y comparar todos los reemplazos

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SSM3J140TU,LXHF
N.º de producto de DigiKey	264-SSM3J140TULXHFTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-SSM3J140TULXHFCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-SSM3J140TULXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3J140TU,LXHF
Descripción	SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 4.4 A (Ta) 500mW (Ta) UFM
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25.8mOhm a 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+6V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	UFM
Paquete / Caja (carcasa)	3-SMD, conductores planos